Лидирующая компания по AI-интегрированным решениям
0
%
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Texas Instruments |
| Ряд | NexFET™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 9-UFBGA, DSBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 700mW |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 3A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 9-DSBGA |
