Лидирующая компания по AI-интегрированным решениям
0
%
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Texas Instruments |
| Ряд | NexFET™ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2.5W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 39A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-VSON (3.3x3.3) |
