Лидирующая компания по AI-интегрированным решениям
0
%
TPS1101DR
TPS1101DR

Texas Instruments
Марка
Лента и катушка (TR)
Упаковка
Отгрузка
200
Акции
Спецификации продукта
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTexas Instruments
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C2.3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)791mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id1.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOIC
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)2.7V, 10V
ВГС (Макс)+2V, -15V
Напряжение стока к источнику (Vdss)15 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs11.25 nC @ 10 V
Техническая документация
Продуктовое обзоры
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
0.202254s